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CV Ingénieur en Caractérisation Electrique et Fiabilité | |
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Objet : Candidature pour un poste d’ingénieur en microélectronique,
Madame, Monsieur,
Deux critères principaux orientent le choix de mon nouvel emploi : intégrer une grande entreprise et travailler en équipe sur des sujets de pointe dans les nouvelles technologies.
La fonction que j'ai occupée pendant cinq ans chez STMicroelectronics (centre de Crolles), est celle d'un ingénieur en caractérisation et étude de fiabilité des composants microélectroniques. Ma principale mission consiste à mettre en place les procédures de caractérisation électrique pour les composants semiconducteurs et RF, les qualifier suivant les normes internationales, modéliser les dérives observées, identifier et étudier les mécanismes de défaillance et proposer des solutions technologiques pour améliorer les performances et la fiabilité du produit final.
Par ailleurs, l'ensemble de mon cursus, à l’Institut National Polytechnique de Grenoble, l’Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne et l’Ecole Polytechnique de Turin, m'a permis d'assimiler l'essentiel des notions théoriques et d'acquérir des bases solides dans les domaines des matériaux semi-conducteurs, des techniques de mesure et les propriétés électriques des matériaux pour la microélectronique.
Ouvert aux autres, soucieux de me perfectionner, je sais m'adapter et j’ai le sens des responsabilités, de l'organisation et de la rigueur.
Aujourd'hui, je souhaite rejoindre une équipe dynamique avec laquelle je pourrais mettre à profit mes compétences, mes qualités de contact, d'organisation, et ma capacité de travail.
Souhaitant que ma formation et mes expériences professionnelles puissent vous être utiles, je vous remercie de l'attention que vous voudrez bien porter à l'examen de mon dossier et reste à votre entière disposition pour toute information complémentaire ou rendez-vous qu'il vous conviendra de me proposer.
Dans cette attente, je vous prie d'agréer, Madame, Monsieur, l'expression de mes salutations distinguées.
Nizar BEN HASSINE | |
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+Mot Clés :
Caractérisation et test électrique, Mesure RF, Qualification et modélisation des composants microélectroniques, Modélisation multi-physique par éléments finis, Etude de la fiabilité, Composants semiconducteurs et technologies CMOS, Matériaux et composants microélectroniques, MEMS RF.
+EXPERIENCE PROFESSIONNELLE :
*Ingénieur Caractérisation Electrique et Fiabilité, DOLPHIN INTEGRATION, Grenoble, France (depuis 10/2010):
=>Caractérisation électrique, test de fiabilité et modélisation des composants semiconducteurs et des modules d’interconnections pour les plateformes technologiques CMOS de STMicroelectronics :
-Assure le suivi des lots de pré-production, réalise les analyses de données électriques, les tests produits et analyses physiques pour identifier les dérives des procédés et sources de défectivité et de perte de rendement.
-Supporte le développement et le transfert des technologies CMOS.
-Elabore les plans de caractérisation électrique et de qualification des procédés de fabrication.
-Réalise les caractérisations électriques et les tests de fiabilité et améliore les méthodes de tests.
-Supporte l’analyse statistique et le traitement des non-conformités.
-Transfère les méthodologies de caractérisation et fiabilité des technologies CMOS vers les autres sites du client.
*Ingénieur Caractérisation Electrique et Fiabilité, STMicroelectronics, Crolles, France (10/2006-10/2009):
=>Caractérisation électrique et étude de la fiabilité des composants innovants pour la téléphonie mobile:
-Caractérisation des propriétés des matériaux choisis pour les nouveaux composants RF.
-Caractérisation électrique et modélisation des composants innovants pour les futures architectures RF.
-Développement d’un banc de test automatisé couplé avec une caméra infrarouge pour les composants RF.
-Etude de la sensibilité aux fortes sollicitations (contrainte électrique, mécanique, puissance RF et température).
-Caractérisation et modélisation des effets nonlinéaires dans les nouveaux composants RF.
-Développement de modèles électriques pour étudier la répartition de puissance et l’auto-échauffement.
-Modélisation analytique et par éléments finis de l’auto-échauffement et des contraintes mécaniques.
-Qualification, identification des mécanismes de défaillance et modélisation des dérives dans les composants RF.
*Ingénieur développement de technologie d’encapsulation, CEA GRENOBLE-LETI, Grenoble, France (03/2006-08/2006):
=>Développement, caractérisation et optimisation de la technologie d’encapsulation par dépôt de couches minces:
-Participation au procédé de fabrication du capot d’encapsulation en salle blanche.
-Caractérisation et modélisation de la tenue mécanique du capot d’encapsulation en fonction de la technologie.
-Caractérisation de l’herméticité des structures étudiées par vibrométrie laser.
-Essai de fiabilité sur des MEMS RF encapsulés par la technologie d’encapsulation dépôts de couches minces.
*Ingénieur modélisation en microélectronique, IMEP/STMICROELECTRONICS, Grenoble, France (07/2005-10/2005) :
=>Modélisation, simulation et caractérisation des capacités MIM à forte permittivité pour des applications RF:
-Etude des diélectriques à forte permittivité pour la réalisation des capacités MIM dans les nouveaux circuits RF.
-Simulation sous HFSS des capacités MIM et développement d’un modèle électrique large bande sous ADS.
-Réalisation de mesures RF sur des structures MIM pour valider le modèle proposé.
+EDUCATION :
=>Depuis 10/2009 : Doctorat en Microélectronique, Université de Grenoble: Caractérisation électrique et étude de la fiabilité des composants acoustiques pour des applications RF (Thèse CIFRE chez STMicroelectronics).
=>Depuis 09/2006 : Master Européen en Micro-Nanotechnologies, Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) et Ecole Polytechnique de Turin (EPT).
=>Depuis 09/2006 : Diplôme d’ingénieur, Spécialité Micro-Nano technologies, Ecole Nationale Supérieure d\'Electronique et de Radioélectricité de Grenoble (ENSERG).
=>2005 – 2006 : 3ème Année à l’EPFL, option Microélectronique-Microsystème, réussie avec mention très bien.
=>2004 – 2005 : 2ème Année à l’EPT et l’INPG, réussie avec mention très bien.
=>2003-2004 : 1ère année à l’ENSERG, réussie avec mention bien.
=>2001/2003 : Ecole préparatoire aux études d’ingénieurs à la Marsa (L\'Institut Préparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques IPEST, option Physique-Chimie*).
=>2000/2001 : Bac scientifique (option Mathématiques).
+COMPETENCES
=>Techniques : Matériaux et composants microélectroniques, Technologies CMOS et MEMS RF, Caractérisation et test électrique, Qualification et modélisation des composants microélectroniques.
=>Informatiques : Logiciels/Programmation : ANSYS, ADS, HFSS, SPICE, CADENCE, MATLAB, LABVIEW et Langage C.
=>Systèmes d’exploitation et logiciels de bureautique: WINDOWS (Word, Excel et PowerPoint) et UNIX.
=>Humaines : Autonomie, Forte implication, Capacité d\'adaptation et esprit d’équipe, Organisation et coordination des différents objectifs d\'un projet, Respect et Ecoute active.
=>Langues : Arabe (langue maternelle), Français (bilingue), Anglais (très bon niveau: plusieurs papiers et conférences)
+ACTIVITES EXTRA-PROFESSIONNELLES
Voyage, travail associatif, jeux d’échecs, natation et lecture. | |
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| Recherche d'Emploi : | Recherche Active d'emploi | |
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| Formation : | | |
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| Expérience : | 3 à 5 ans | |
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| Résidence : | Isère (38) | |
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| Préférences Géographiques : |
Isère (38) - Paris (75) - Seine-Saint-Denis (93) | |
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| Mots Clefs : | Caractérisation et test électrique, Mesure RF, Qualification et modélisation des composants microélectroniques, Modélisation multi-physique par éléments finis, Etude de la fiabilité, Composants semiconducteurs et technologies CMOS, Matériaux et composants microélectroniques, MEMS RF. | |
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